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推出两款高桥栅极驱动器意法半导体压GaN半

时间: 2025-07-04 11:26:13 来源: go1.dezhouruihuan.com 作者: 知识

意法半导体。意法压推出两款。半导半桥高压。体推GaN半桥栅极。出两驱动器。款高，栅极为。驱动器开发者。意法压带来更高的半导半桥规划灵活性和更多的功用，进步方针运用的体推能效和鲁棒性。

STDRIVEG610和STDRIVEG611两款新产品为。出两电源。款高转化和。栅极电机操控。驱动器规划人员供给两种操控GaN功率器材的意法压挑选，能够进步。消费电子。和工业运用的能效、功率密度和鲁棒性。

STDRIVEG610主打那些要求发动时刻300ns等级的。栅极驱动。运用，发动时刻是LLC或。AC 。F电源转化拓扑的一个要害参数，确保在突发形式下精确操控功率管的关断距离。

STDRIVEG611是针对。电机。操控运用中的硬开关进行了优化规划，增加高边UVLO欠压维护和过流维护。智能。关断等安全功用。

这两款器材对软硬开关拓扑都适用，并内置防备穿插导通的互锁功用。STDRIVEG610可提高电源适配器、充电器和。功率因数。校对( 。PFC。) 电路的功用，而STDRIVEG611可节约空间，进步能效和可靠性，适用于家用电器、电泵、压缩机、工业伺服驱动电机以及工厂自动化驱动设备。

为了简化规划，两款器材都集成了高边自举。二极管。，以及大。电流。才能且传输推迟小于10ns的6V凹凸边。线性稳压器。。每个驱动器都有独立的吸电流和拉电流途径，吸电流为2.4A/1.2Ω，拉电流为1.0A/3.7Ω ，能够完成很好的驱动功用。

片上集成的UVLO维护功用用于维护凹凸边的600V GaN功率开关管的安全，避免器材在低效或风险情况下运转。此外，两款器材都有过热维护功用，dV/dt耐量高达±200V/ns。输入引脚电压扩展到3.3V至20V，然后简化了。操控器。接口。电路。两款器材都有待机引脚，在非作业期间或突发形式下，能够节约能耗，并具有独立的电源地引脚，可用于开尔文源驱动或衔接分流。电阻。。

STDRIVEG610和STDRIVEG611集成丰厚的功用，有助于下降物料清单本钱，选用4mmx5mm QFN的紧凑封装，节约电路板空间。

两款产品的配套评价板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611现已上市，可协助规划人员加速运用开发。两款评价板均可直接运用，集成了600V高速半桥栅极驱动器和意法半导体的两颗SGT120R65AL增强型GaN HEMT功率开关管。

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